科研项目 [1] 国家自然科学基金项目,《InGaAs/InAlAs异质结双鳍电子空穴双层隧穿场效应晶体管研究》,2022,主持; [2] 甘肃省自然科学基金项目,基于电荷等离子体的新型III-V族TFET器件研究,2021,主持; [3] 甘肃省知识产权计划项目,知识产权高质量发展相关制度建设研究—以甘肃集成电路产业为例,2020,主持; [4] 兰州交通大学青年科学基金项目,基于太赫兹频段的InP基HEMT研究,2017,主持; [5] 甘肃省自然科学基金项目,硅纳米晶浮栅有机场效应晶体管存储器研究,2022,参与; [6] 甘肃省自然科学基金项目,多模态融合方法及其在抑郁症识别中的应用研究,2020,参与; [7] 国家自然科学基金面上项目, 面向太赫兹应用的氮化镓基谐波增强型高电子迁移率晶体管研究,2017,参与; [8] 兰州市哲学社会科学规划项目,“一带一路”背景下兰州市电商与快递协同发展机制研究,2016,参与; [9] 兰州市科技局项目,基站无线环境绿色监测与控制系统的研发与应用,2013参与; [10] 兰州市科技局项目,无线调度通信系统中绿色接入技术的研究与实现,2012,参与。 |
代表性论文 [1] Liu H, Yang LA, Jin Z, et al. An In0.53Ga0. 47As/In0.52Al0. 48As Heterojunction Dopingless Tunnel FET With a Heterogate Dielectric for High Performance[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(7):3229-3235. [SCI] [2] Liu H, Yang LA, Chen Y, et al. Performance enhancement of the dual-metal gate In0.53Ga0.47As dopingless TFET by using a platinum metal strip insertion[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 58(10): 104001. [SCI] [3] Liu H, Yang L A, Zhang H, et al. An In0.53Ga0. 47As/In0.52Al0. 48As/In0.53Ga0. 47As double hetero-junction junctionless TFET[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 2021, 60(7): 074001. [SCI] [4] Liu H, Zhang W, Wang Z, et al. OFF-State Leakage Suppression in Vertical Electron–Hole Bilayer TFET Using Dual-Metal Left-Gate and N+-Pocket[J]. Materials, 2022, 15(19): 6924. [SCI] [5] Li Y, Wang F, Wang A, et al. An External Quantum Efficiency Model Toward Photoelectric Conversion Current of Organic Phototransistors[C] Journal of Physics: Conference Series. IOP Publishing, 2022, 2248(1): 012022. [EI] |
专利及获奖 [1] 指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获得全国二等奖一项,2011; [2] 指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获得全国二等奖一项,2013; [3] 参加全国电工电子基础课程实验教学案例设计竞赛获得全国二等奖,2015; [4] 参加全国电工电子基础课程实验教学案例设计竞赛获得全国三等奖,2016; [5] 参加全国电工电子基础课程实验教学案例设计竞赛获得全国三等奖,2018; [6] 指导学生参加全国大学生电子设计竞赛获得甘肃省二等奖一项,2019年; [7] 获得校实验教学优秀奖,2020。 |